王曦院士展示“三明治”SOI圆片（8月22日摄）。
穿上净化服、戴上口罩、经过强风的“风淋”后，记者走进了上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室。
这里是我国最先进的高端硅基集成电路晶圆片材料SOI研发平台，也是中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦院士为之奋斗十多年的地方。
这些看上去光润无瑕、如同一面面灰色圆镜的SOI材料，专业名称叫“绝缘体上的硅”，是国际公认的21世纪新一代硅基材料。
早在20世纪80年代初，中科院就已经开始SOI技术研究，但仅仅停留在论文上，从没有走出实验室。眼看国际上SOI产业化应用技术突飞猛进，1998年，王曦放弃国外优越生活，毅然回国挑起了中科院SOI项目的“大梁”。
为了尽快赶上国际先进水平，王曦带领科研团队通宵达旦地在实验室里加班加点，他们采用工程化管理，每个阶段都设定了指标。“离子注入”是王曦钻研多年的SOI材料制备中的关键技术。回国后，王曦成功地利用创新技术完成了SOI材料技术工程化研究，建立了生产线。经过漫长的艰苦跋涉、昼夜奋战，他带领团队终于生产出一个个光润无瑕、晶莹剔透的“三明治”圆片。
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